Vishay Siliconix IRLD120 MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

IRLD120

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

অংশ সংখ্যা

IRLD120

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Siliconix

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Tube

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 175°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Through Hole

প্যাকেজ/কেস

4-DIP (0.300", 7.62mm)

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

1.3W (Ta)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

100V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

1.3A (Ta)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

270 mOhm @ 780mA, 5V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

2V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

12nC @ 5V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

490pF @ 25V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

4V, 5V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±10V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 46699 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

IRLD014

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP