HCT7000M
MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
অংশ সংখ্যা
HCT7000M
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
-
পার্ট স্ট্যাটাস
Active
প্যাকেজিং
Bulk
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
3-SMD, No Lead
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
3-SMD
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
300mW (Ta)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
-
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
60V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
200mA (Ta)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
3V @ 1mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
-
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
60pF @ 25V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±40V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 15859 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড HCT7000M
HCT7000M বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
HCT7000M বিক্রয়
HCT7000M সরবরাহকারী
HCT7000M পরিবেশক
HCT7000M ডেটা টেবিল
HCT7000M ফটো
HCT7000M দাম
HCT7000M অফার
HCT7000M সর্বনিম্ন মূল্য
HCT7000M অনুসন্ধান করুন
HCT7000M ক্রয়
HCT7000M Chip