Texas Instruments TPS1100DR MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

TPS1100DR

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

অংশ সংখ্যা

TPS1100DR

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Texas Instruments

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tape & Reel (TR)

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-40°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

8-SOIC

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

791mW (Ta)

FET প্রকার

P-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

15V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

1.6A (Ta)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

1.5V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

5.45nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

2.7V, 10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

+2V, -15V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 6653 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

TPS1100D

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC