STMicroelectronics SCTWA50N120 MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

SCTWA50N120

MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247

অংশ সংখ্যা

SCTWA50N120

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

STMicroelectronics

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

প্রযুক্তি

SiCFET (Silicon Carbide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 200°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Through Hole

প্যাকেজ/কেস

TO-247-3

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

HiP247™

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

318W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

1200V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

65A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

69 mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3V @ 1mA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

122nC @ 20V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

1900pF @ 400V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

20V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

+25V, -10V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 48341 PCS

যোগাযোগের তথ্য