QS8J11TCR
MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
অংশ সংখ্যা
QS8J11TCR
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
-
পার্ট স্ট্যাটাস
Not For New Designs
প্যাকেজিং
Tape & Reel (TR)
অপারেটিং তাপমাত্রা
150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
8-SMD, Flat Lead
শক্তি - সর্বোচ্চ
550mW
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
TSMT8
FET প্রকার
2 P-Channel (Dual)
FET বৈশিষ্ট্য
Logic Level Gate, 1.5V Drive
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
12V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
3.5A
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
1V @ 1mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
22nC @ 4.5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
2600pF @ 6V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 50636 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড QS8J11TCR
QS8J11TCR বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
QS8J11TCR বিক্রয়
QS8J11TCR সরবরাহকারী
QS8J11TCR পরিবেশক
QS8J11TCR ডেটা টেবিল
QS8J11TCR ফটো
QS8J11TCR দাম
QS8J11TCR অফার
QS8J11TCR সর্বনিম্ন মূল্য
QS8J11TCR অনুসন্ধান করুন
QS8J11TCR ক্রয়
QS8J11TCR Chip