IXTT10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
অংশ সংখ্যা
IXTT10N100D
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
-
পার্ট স্ট্যাটাস
Active
প্যাকেজিং
Tube
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
TO-268
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
400W (Tc)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
Depletion Mode
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
1000V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
10A (Tc)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
3.5V @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
130nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
2500pF @ 25V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±30V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 23660 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড IXTT10N100D
IXTT10N100D বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
IXTT10N100D বিক্রয়
IXTT10N100D সরবরাহকারী
IXTT10N100D পরিবেশক
IXTT10N100D ডেটা টেবিল
IXTT10N100D ফটো
IXTT10N100D দাম
IXTT10N100D অফার
IXTT10N100D সর্বনিম্ন মূল্য
IXTT10N100D অনুসন্ধান করুন
IXTT10N100D ক্রয়
IXTT10N100D Chip