IXTM67N10
POWER MOSFET TO-3
অংশ সংখ্যা
IXTM67N10
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
GigaMOS™
পার্ট স্ট্যাটাস
Last Time Buy
প্যাকেজিং
-
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Through Hole
প্যাকেজ/কেস
TO-204AE
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
TO-204AE
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
300W (Tc)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
-
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
100V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
67A (Tc)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
4V @ 4mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
260nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
4500pF @ 25V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±20V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 14726 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড IXTM67N10
IXTM67N10 বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
IXTM67N10 বিক্রয়
IXTM67N10 সরবরাহকারী
IXTM67N10 পরিবেশক
IXTM67N10 ডেটা টেবিল
IXTM67N10 ফটো
IXTM67N10 দাম
IXTM67N10 অফার
IXTM67N10 সর্বনিম্ন মূল্য
IXTM67N10 অনুসন্ধান করুন
IXTM67N10 ক্রয়
IXTM67N10 Chip