IXTM12N100
POWER MOSFET TO-3
অংশ সংখ্যা
IXTM12N100
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
GigaMOS™
পার্ট স্ট্যাটাস
Last Time Buy
প্যাকেজিং
-
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Through Hole
প্যাকেজ/কেস
TO-204AA, TO-3
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
TO-204AA
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
300W (Tc)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
-
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
1000V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
12A (Tc)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
4.5V @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
170nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
4000pF @ 25V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±20V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 23824 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড IXTM12N100
IXTM12N100 বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
IXTM12N100 বিক্রয়
IXTM12N100 সরবরাহকারী
IXTM12N100 পরিবেশক
IXTM12N100 ডেটা টেবিল
IXTM12N100 ফটো
IXTM12N100 দাম
IXTM12N100 অফার
IXTM12N100 সর্বনিম্ন মূল্য
IXTM12N100 অনুসন্ধান করুন
IXTM12N100 ক্রয়
IXTM12N100 Chip