Infineon Technologies IPC302N10N3X1SA1 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

IPC302N10N3X1SA1

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

অংশ সংখ্যা

IPC302N10N3X1SA1

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

OptiMOS™

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

Die

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

Sawn on foil

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

100V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

1A (Tj)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3.5V @ 302µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 22574 PCS

যোগাযোগের তথ্য