Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1 MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3

অংশ সংখ্যা

IPAN65R650CEXKSA1

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

CoolMOS™

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tube

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-40°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Through Hole

প্যাকেজ/কেস

TO-220-3 Full Pack

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PG-TO220 Full Pack

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

28W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

Super Junction

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

650V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

10.1A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

650 mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3.5V @ 210µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

23nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

440pF @ 100V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±20V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 38821 PCS

যোগাযোগের তথ্য