Infineon Technologies BSO615CGHUMA1 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

BSO615CGHUMA1

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

অংশ সংখ্যা

BSO615CGHUMA1

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

SIPMOS®

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tape & Reel (TR)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

শক্তি - সর্বোচ্চ

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PG-DSO-8

FET প্রকার

N and P-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

60V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

3.1A, 2A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

110 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

2V @ 20µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

22.5nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

380pF @ 25V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 15072 PCS

যোগাযোগের তথ্য