GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 TRANS SJT 600V 100A

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A

অংশ সংখ্যা

GA50JT06-258

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

GeneSiC Semiconductor

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Bulk

প্রযুক্তি

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 225°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Through Hole

প্যাকেজ/কেস

TO-258-3, TO-258AA

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

TO-258

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

769W (Tc)

FET প্রকার

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

600V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

100A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 45829 PCS

যোগাযোগের তথ্য