Triode/MOS tube/transistor/module
Samwin (Semipower)
নির্মাতারা
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 40V Collector current (Ic): 200mA Power (Pd): 200mW DC current gain (hFE@Ic,Vce): 100@10mA, 1V transistors, PNP 40V 200mA 200mW
বর্ণনা
DIODES (US and Taiwan)
নির্মাতারা
LOWPOWER (Weiyuan Semiconductor)
নির্মাতারা
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
নির্মাতারা
DIODES (US and Taiwan)
নির্মাতারা
SALLTECH (Sari)
নির্মাতারা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
VISHAY (Vishay)
নির্মাতারা
P-channel, -200V, -11A, 500mΩ@-10V
বর্ণনা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
N-channel, 55V, 75A, 4.7mΩ@10V
বর্ণনা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
ST (STMicroelectronics)
নির্মাতারা
Hottech (Heketai)
নির্মাতারা
YANGJIE (Yang Jie)
নির্মাতারা
YJS4606A-F2-1100HF
বর্ণনা
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
নির্মাতারা