Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

ডেটাশিট

SIDR668DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V

অংশ সংখ্যা

SIDR668DP-T1-GE3

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Siliconix

সিরিজ

TrenchFET® Gen IV

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

PowerPAK® SO-8

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PowerPAK® SO-8DC

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

100V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

23.2A (Ta), 95A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

3.4V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

108nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

5400pF @ 50V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±20V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

7.5V, 10V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 42170 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC