Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

অংশ সংখ্যা

SI5513CDC-T1-E3

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Siliconix

সিরিজ

TrenchFET®

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tape & Reel (TR)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-SMD, Flat Lead

শক্তি - সর্বোচ্চ

3.1W

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

1206-8 ChipFET™

FET প্রকার

N and P-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

20V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

4A, 3.7A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

55 mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

1.5V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

4.2nC @ 5V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

285pF @ 10V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 31739 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8