IRFBE30S
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
অংশ সংখ্যা
IRFBE30S
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
-
পার্ট স্ট্যাটাস
Obsolete
প্যাকেজিং
Tube
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
D2PAK
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
125W (Tc)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
-
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
800V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
4.1A (Tc)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
4V @ 250µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
78nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
1300pF @ 25V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±20V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 19946 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড IRFBE30S
IRFBE30S বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
IRFBE30S বিক্রয়
IRFBE30S সরবরাহকারী
IRFBE30S পরিবেশক
IRFBE30S ডেটা টেবিল
IRFBE30S ফটো
IRFBE30S দাম
IRFBE30S অফার
IRFBE30S সর্বনিম্ন মূল্য
IRFBE30S অনুসন্ধান করুন
IRFBE30S ক্রয়
IRFBE30S Chip