Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP60N IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

VS-GT50TP60N

IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

অংশ সংখ্যা

VS-GT50TP60N

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Vishay Semiconductor Diodes Division

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

অপারেটিং তাপমাত্রা

175°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Chassis Mount

প্যাকেজ/কেস

INT-A-PAK (3 + 4)

শক্তি - সর্বোচ্চ

208W

কনফিগারেশন

Half Bridge

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

INT-A-PAK

বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ)

85A

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ)

600V

বর্তমান - কালেক্টর কাটঅফ (সর্বোচ্চ)

1mA

আইজিবিটি টাইপ

Trench

Vce(চালু) (সর্বোচ্চ) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

ইনপুট

Standard

এনটিসি থার্মিস্টর

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 36833 PCS

যোগাযোগের তথ্য