ON Semiconductor FDMS3660S-F121 MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

ডেটাশিট

FDMS3660S-F121

MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN

অংশ সংখ্যা

FDMS3660S-F121

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

ON Semiconductor

সিরিজ

PowerTrench®

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Cut Tape (CT)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-PowerTDFN

শক্তি - সর্বোচ্চ

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

Power56

FET প্রকার

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

30V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

13A, 30A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

2.7V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

29nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

1765pF @ 15V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 54952 PCS

যোগাযোগের তথ্য

সংশ্লিষ্ট পণ্য

FDMS003N08C

FET ENGR DEV-NOT REL