Microsemi Corporation JAN1N6622US DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

JAN1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

অংশ সংখ্যা

JAN1N6622US

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Microsemi Corporation

সিরিজ

Military, MIL-PRF-19500/585

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Bulk

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

SQ-MELF, A

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

D-5A

ডায়োড টাইপ

Standard

বর্তমান - গড় সংশোধন (Io)

1.2A

ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি

1.4V @ 1.2A

বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর

500nA @ 660V

ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ)

660V

গতি

Fast Recovery = 200mA (Io)

বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr)

30ns

অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন

-65°C ~ 150°C

ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ

10pF @ 10V, 1MHz

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 30083 PCS

যোগাযোগের তথ্য