Microsemi Corporation APTM120SK56T1G MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

APTM120SK56T1G

MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

অংশ সংখ্যা

APTM120SK56T1G

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Microsemi Corporation

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Bulk

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-40°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Chassis Mount

প্যাকেজ/কেস

SP1

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

SP1

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

390W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

1200V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

18A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

672 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

5V @ 2.5mA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

300nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

7736pF @ 25V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±30V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 26263 PCS

যোগাযোগের তথ্য