IXTP1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
অংশ সংখ্যা
IXTP1N100
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
-
পার্ট স্ট্যাটাস
Active
প্যাকেজিং
Tube
প্রযুক্তি
MOSFET (Metal Oxide)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-55°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Through Hole
প্যাকেজ/কেস
TO-220-3
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
TO-220AB
শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)
54W (Tc)
FET প্রকার
N-Channel
FET বৈশিষ্ট্য
-
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
1000V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
1.5A (Tc)
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
4.5V @ 25µA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
14.5nC @ 10V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
400pF @ 25V
ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)
10V
ভিজিএস (সর্বোচ্চ)
±30V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 34584 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড IXTP1N100
IXTP1N100 বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
IXTP1N100 বিক্রয়
IXTP1N100 সরবরাহকারী
IXTP1N100 পরিবেশক
IXTP1N100 ডেটা টেবিল
IXTP1N100 ফটো
IXTP1N100 দাম
IXTP1N100 অফার
IXTP1N100 সর্বনিম্ন মূল্য
IXTP1N100 অনুসন্ধান করুন
IXTP1N100 ক্রয়
IXTP1N100 Chip