Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

IRFHM8363TR2PBF

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

অংশ সংখ্যা

IRFHM8363TR2PBF

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

HEXFET®

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Cut Tape (CT)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-PowerVDFN

শক্তি - সর্বোচ্চ

2.7W

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

FET প্রকার

2 N-Channel (Dual)

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

30V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

11A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

14.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

2.35V @ 25µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

15nC @ 10V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

1165pF @ 10V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 14841 PCS

যোগাযোগের তথ্য