Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

IRFH6200TR2PBF

MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN

অংশ সংখ্যা

IRFH6200TR2PBF

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

HEXFET®

পার্ট স্ট্যাটাস

Obsolete

প্যাকেজিং

Cut Tape (CT)

প্রযুক্তি

MOSFET (Metal Oxide)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-PowerVDFN

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PQFN (5x6)

শক্তি অপচয় (সর্বোচ্চ)

3.6W (Ta), 156W (Tc)

FET প্রকার

N-Channel

FET বৈশিষ্ট্য

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

20V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

49A (Ta), 100A (Tc)

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

0.95 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

1.1V @ 150µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

230nC @ 4.5V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

10890pF @ 10V

ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বোচ্চ Rds চালু, সর্বনিম্ন Rds চালু)

2.5V, 10V

ভিজিএস (সর্বোচ্চ)

±12V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 35700 PCS

যোগাযোগের তথ্য