Infineon Technologies FF200R12KT3EHOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 200A

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

FF200R12KT3EHOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

অংশ সংখ্যা

FF200R12KT3EHOSA1

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

অপারেটিং তাপমাত্রা

-40°C ~ 125°C

মাউন্ট টাইপ

Chassis Mount

প্যাকেজ/কেস

Module

শক্তি - সর্বোচ্চ

1050W

কনফিগারেশন

2 Independent

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

Module

বর্তমান - কালেক্টর (আইসি) (সর্বোচ্চ)

ভোল্টেজ - কালেক্টর ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ)

1200V

বর্তমান - কালেক্টর কাটঅফ (সর্বোচ্চ)

5mA

আইজিবিটি টাইপ

Vce(চালু) (সর্বোচ্চ) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

ইনপুট

Standard

এনটিসি থার্মিস্টর

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 47024 PCS

যোগাযোগের তথ্য