Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

BSC0910NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

অংশ সংখ্যা

BSC0910NDIATMA1

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

Infineon Technologies

সিরিজ

OptiMOS™

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Tape & Reel (TR)

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Surface Mount

প্যাকেজ/কেস

8-PowerTDFN

শক্তি - সর্বোচ্চ

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

PG-TISON-8

FET প্রকার

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET বৈশিষ্ট্য

Logic Level Gate, 4.5V Drive

ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)

25V

বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C

11A, 31A

Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস

4.6 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি

2V @ 250µA

গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস

6.6nC @ 4.5V

ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds

4500pF @ 12V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 27970 PCS

যোগাযোগের তথ্য