GeneSiC Semiconductor MURTA600120R DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

MURTA600120R

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

অংশ সংখ্যা

MURTA600120R

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

GeneSiC Semiconductor

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Bulk

মাউন্ট টাইপ

Chassis Mount

প্যাকেজ/কেস

Three Tower

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

Three Tower

ডায়োড টাইপ

Standard

ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি

2.6V @ 300A

বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর

25µA @ 1200V

ডায়োড কনফিগারেশন

1 Pair Common Anode

ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ)

1200V

বর্তমান - গড় সংশোধন (Io) (প্রতি ডায়োড)

300A

গতি

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr)

অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন

-55°C ~ 150°C

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 53196 PCS

যোগাযোগের তথ্য