GeneSiC Semiconductor DB106G DIODE BRIDGE 800V 1A DB

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

DB106G

DIODE BRIDGE 800V 1A DB

অংশ সংখ্যা

DB106G

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

GeneSiC Semiconductor

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Bulk

প্রযুক্তি

Standard

অপারেটিং তাপমাত্রা

-55°C ~ 150°C (TJ)

মাউন্ট টাইপ

Through Hole

প্যাকেজ/কেস

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

ডায়োড টাইপ

Single Phase

ভোল্টেজ - পিক রিভার্স (সর্বোচ্চ)

800V

বর্তমান - গড় সংশোধন (Io)

ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি

1.1V @ 1A

বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর

10µA @ 800V

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 50796 PCS

যোগাযোগের তথ্য