GeneSiC Semiconductor 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

চীন
পেশাদার ইলেকট্রনিক উপাদান সরবরাহকারী

ক্যাটালগ নির্মাতারা CN ICs

চিত্রটি উপস্থাপনা হতে পারে৷
পণ্যের বিবরণের জন্য স্পেসিফিকেশন দেখুন৷.

আরও তথ্য দেখুন ডেটাশিট

1N1206A

DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

অংশ সংখ্যা

1N1206A

প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড

GeneSiC Semiconductor

সিরিজ

পার্ট স্ট্যাটাস

Active

প্যাকেজিং

Bulk

মাউন্ট টাইপ

Chassis, Stud Mount

প্যাকেজ/কেস

DO-203AA, DO-4, Stud

সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ

DO-4

ডায়োড টাইপ

Standard

বর্তমান - গড় সংশোধন (Io)

12A

ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (Vf) (সর্বোচ্চ) @ যদি

1.1V @ 12A

বর্তমান - বিপরীত লিকেজ @ ভিআর

10µA @ 50V

ভোল্টেজ - DC বিপরীত (Vr) (সর্বোচ্চ)

600V

গতি

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

বিপরীত পুনরুদ্ধারের সময় (trr)

অপারেটিং তাপমাত্রা - জংশন

-65°C ~ 200°C

ক্যাপাসিট্যান্স @ ভিআর, এফ

অনুরোধ উদ্ধৃতি

অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।

স্টকে 46971 PCS

যোগাযোগের তথ্য