EPC2101ENGRT
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
অংশ সংখ্যা
EPC2101ENGRT
প্রস্তুতকারক/ব্র্যান্ড
সিরিজ
eGaN®
পার্ট স্ট্যাটাস
Active
প্যাকেজিং
Cut Tape (CT)
অপারেটিং তাপমাত্রা
-40°C ~ 150°C (TJ)
মাউন্ট টাইপ
Surface Mount
প্যাকেজ/কেস
Die
শক্তি - সর্বোচ্চ
-
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ
Die
FET প্রকার
2 N-Channel (Half Bridge)
FET বৈশিষ্ট্য
GaNFET (Gallium Nitride)
ড্রেন টু সোর্স ভোল্টেজ (Vdss)
60V
বর্তমান - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25�C
9.5A, 38A
Rds অন (সর্বোচ্চ) @ আইডি, ভিজিএস
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (সর্বোচ্চ) @ আইডি
2.5V @ 2mA
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বোচ্চ) @ ভিজিএস
2.7nC @ 5V
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (Ciss) (সর্বোচ্চ) @ Vds
300pF @ 30V
অনুরোধ উদ্ধৃতি
অনুগ্রহ করে সমস্ত প্রয়োজনীয় ক্ষেত্রগুলি পূরণ করুন এবং জমা দিন ক্লিক করুন, আমরা 12 ঘন্টার মধ্যে ইমেলের মাধ্যমে আপনার সাথে যোগাযোগ করব৷ আপনার যদি কোনো সমস্যা হয়, তাহলে অনুগ্রহ করে [email protected] কে বার্তা বা ইমেল করুন, আমরা যত তাড়াতাড়ি সম্ভব প্রতিক্রিয়া জানাব।
স্টকে 45374 PCS
যোগাযোগের তথ্য
সংশ্লিষ্ট পণ্য
এর কীওয়ার্ড EPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT বৈদ্যুতিক যন্ত্রপাতি
EPC2101ENGRT বিক্রয়
EPC2101ENGRT সরবরাহকারী
EPC2101ENGRT পরিবেশক
EPC2101ENGRT ডেটা টেবিল
EPC2101ENGRT ফটো
EPC2101ENGRT দাম
EPC2101ENGRT অফার
EPC2101ENGRT সর্বনিম্ন মূল্য
EPC2101ENGRT অনুসন্ধান করুন
EPC2101ENGRT ক্রয়
EPC2101ENGRT Chip