Triode/MOS tube/transistor/module
MOSFET Type N+N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 20 Threshold Voltage VGS ±8 Vth(V) 0.5-1.2 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) - Continuous Drain Current ID (A) 6
বর্ণনা
NCE (Wuxi New Clean Energy)
নির্মাতারা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
নির্মাতারা
APM (Jonway Microelectronics)
নির্মাতারা
DIODES (US and Taiwan)
নির্মাতারা
PNP, Vceo=-30V, Ic=-5.5A
বর্ণনা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
BLUE ROCKET (blue arrow)
নির্মাতারা
GOFORD (valley peak)
নির্মাতারা
GOFORD (valley peak)
নির্মাতারা
VISHAY (Vishay)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
TOSHIBA (Toshiba)
নির্মাতারা
NPN, Vceo=50V, Ic=150mA
বর্ণনা
CBI (Creation Foundation)
নির্মাতারা
YANGJIE (Yang Jie)
নির্মাতারা
onsemi (Ansemi)
নির্মাতারা
This family of digital transistors is suitable for replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) consists of a monolithic bias network consisting of a single transistor and two resistors. Series base resistor and base resistor. The BRT eliminates the need for these separate components, which are integrated into a single device. Using BRT can reduce system cost and save board space.
বর্ণনা