Triode/MOS tube/transistor/module
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
DIODES (US and Taiwan)
নির্মাতারা
PNP, Vceo=-60V, Ic=-600mA
বর্ণনা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
LGE (Lu Guang)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
NPN Vceo=50V, Ic=100mA, hfe=100-600
বর্ণনা
TOSHIBA (Toshiba)
নির্মাতারা
HUASHUO (Huashuo)
নির্মাতারা
onsemi (Ansemi)
নির্মাতারা
ST (STMicroelectronics)
নির্মাতারা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
VISHAY (Vishay)
নির্মাতারা
NPN, Vceo=530V, Ic=1.5A
বর্ণনা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
MSKSEMI (Mesenco)
নির্মাতারা
MOS tube type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 60V Continuous drain current (Id): 150mA Power (Pd): 156mW On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.6Ω@10V, 150mA
বর্ণনা
BLUE ROCKET (blue arrow)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা