Triode/MOS tube/transistor/module
Wayon (Shanghai Wei'an)
নির্মাতারা
ST (STMicroelectronics)
নির্মাতারা
TMC (Taiwan Mao)
নির্মাতারা
Type N VDS(V) 30V VGS(V) ±20V Vth(V) -1.5V RDS(ON)(mΩ) 13mΩ ID(A) 55A
বর্ণনা
DIODES (US and Taiwan)
নির্মাতারা
VISHAY (Vishay)
নির্মাতারা
N-channel, 60V, 240mA
বর্ণনা
TOSHIBA (Toshiba)
নির্মাতারা
LGE (Lu Guang)
নির্মাতারা
NCE (Wuxi New Clean Energy)
নির্মাতারা
VISHAY (Vishay)
নির্মাতারা
N-channel, 500V, 4.5A, 1.5Ω@10V
বর্ণনা
HUASHUO (Huashuo)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
Infineon (Infineon)
নির্মাতারা
N-channel, 40V, 85A, 2.4mΩ@10V
বর্ণনা
ST (STMicroelectronics)
নির্মাতারা
Darlington driver, 7 channels (7-ch), output voltage: 50V
বর্ণনা
DIODES (US and Taiwan)
নির্মাতারা
VBsemi (Wei Bi)
নির্মাতারা
N+N channel, 30V, 8A, 15mΩ@10V
বর্ণনা
onsemi (Ansemi)
নির্মাতারা
Low saturation voltage bipolar transistors are miniature surface mount devices with ultra-low saturation voltage and high current gain capability. These devices are designed for low-voltage, high-speed switching applications that require cost-effective, efficient energy control.
বর্ণনা